Росэлектроника va a producir 5G-transistores
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Mientras que en rusia se preparan para la transición a la norma de la telefonía móvil 5G, el instituto de la ingeniería de la voronezh, que entra en la celebración de «Росэлектроника», comienza a producir 5G-transistores.
En la empresa informan que la potencia de salida de los aparatos es de 5 a 50 w, la ganancia de potencia de 9 a 13 db, la eficiencia de la escorrentía — no menos del 45% en la prueba de frecuencia de 4 Ghz y 2,9 Ghz. Los transistores fabricados воронежским institutos de investigación, son totalmente intercambiables con la importación de los análogos, por lo que son ideales para cualquier tipo de aparatos, sin necesidad de contar con nuevas mejoras. Los de transistores ya probado en las estaciones de radio, de determinación de posición de un aparato de aeropuertos y дронах, donde han demostrado una excelente capacidad de trabajo. Ahora los productos de voronezh instituto probando el veinte de diversas empresas.
Mediante el uso De transistores basados en nitruro de galio los desarrolladores se pudo reducir el tamaño de los bloques de alimentación, adaptadores y cargadores. Debido a la reducción de tamaño disminuido, y la masa, por lo que los nuevos productos pueden aplicarse en diversos dispositivos, el transporte y la electricidad.
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