Creado de trabajo de la muestra de la ram en la base de la магнитоэлектрического efecto
Source:Hoy en día es difícil encontrar un dispositivo electrónico, que no tendría memoria ram. En su uso hoy en día son dependiente en casi todas las características de funcionamiento del software. A pesar de que tienen "operativki" y una desventaja importante es el consumo de energía alta. Según un artículo publicado en la edición de Applied Physics Letters, el grupo de especialistas de mipt junto con los colegas de ИРЭ. S. a. kotelnikova de las heridas y el laboratorio Internacional de LIA LICS se pudo elaborar la memoria de nuevo tipo. El enfoque de los científicos no sólo ayudará a reducir el consumo de energía, sino también acelerar el trabajo de los dispositivos.
Celda "clásica" memoria de acceso aleatorio (RAM) consta de un transistor, que regula el acceso al condensador. El condensador puede ser cargado, y entonces su valor es igual a 1, o descargada y de su valor, respectivamente, será 0. Desarrollado por el mismo magneto-eléctrico de la memoria (MELRAM) consta de dos elementos: пьезоэлектрической el sustrato y la especial estructura de capas. Elementos piezoeléctricos pueden deformarse, si a ellos adjuntar la tensión, o crear, si su deformación. Слоистая la estructura tiene un fuerte магнитоупругостью (propiedades magnéticas en ella cambian con el tiempo, la deformación). Debido a la anisotropía, la estructura de capas magnetización puede tener dos direcciones, que se ponen en correspondencia lógica con 1 o 0. De este modo la memoria MELRAM (a diferencia de la utilizada actualmente RAM) es capaz de mantener su estado, incluso cuando se desconecta de la red. Como han declarado sergey Никитов, el jefe de estudios, coordinador de la especialización de la cátedra de electrónica de estado sólido, радиофизики y aplicaciones de las tecnologías de la información mipt, y su colega antón Чурбанов, estudiante de doctorado en ФФКЭ mipt,
"la industria de RAM hoy en día es muy muy desarrollada, la velocidad de los módulos cada vez más rápido, sin embargo, hay una desventaja significativa, que debido a la construcción moderna de la memoria, no podrá superar la baja eficiencia energética. Estamos en su trabajo demostramos medios magneto-eléctrica de la celda de memoria. Esto le permitirá reducir los costes de energía de lectura y escritura en decenas de miles de veces. Hemos creado un ejemplo de un tamaño de alrededor de un milímetro y demostrado por su trabajo. Es importante señalar que, sobre la base utilizados en las estructuras, puede crear y нанометровые de la celda, similares en tamaño a las que se utilizan en la normal de RAM".
Cuando a una celda de memoria MELRAM se aplica la tensión, пьезоэлектрическая material se deforma, y, dependiendo de la naturaleza de la deformación, la magnetización cambia de dirección y se produce la entrada de la información. Sin embargo, si la dirección del campo magnético cambia, se produce un estrés adicional en la muestra, que se puede registrar, por tanto, al enterarse de estado. Porque al leer puede cambiar la dirección de la magnetización, posteriormente, desea sobrescribir el valor leído en la celda de nuevo.
se Basa en los materiales en el servicio de prensa de la mipt
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