Wie Silizium ersetzen Metall in den transistoren?
Source:Für den Transistor wichtig sind die Eigenschaften des Halbleiters. Moderne transistoren basieren überwiegend auf Silizium. Wissenschaftler sind ständig auf der Suche nach Ersatz für dieses Material. Als eine der alternativen кремнию . Aber es stellt sich heraus, diese Rolle spielen kann, und Metall, der nicht der Halbleiter. Wie ist das möglich?
In der modernen Computer-Chip die Anzahl der transistoren manchmal Milliarden. Die jetzt transistoren basieren auf Halbleiter-Materialien, in der Regel Silizium.
Die Nachfrage nach Computer-Chips für Notebooks, Tablets und Smartphones weiter wächst, was bedeutet, dass überprüft und neue Technologien der Produktion dieser kritischen Komponenten, die fähig sind, machen Sie mehr flexibel und Energieeffizient und dabei natürlich kostengünstig.
Die Gruppe unter der Leitung von Dr. Christian Klinge (Christian Klinke) von der Universität Hamburg erreichte Erfolg bei der Herstellung von transistoren, die basiert auf ganz anderen Prinzip, als die, die jetzt in der Industrie angewendet. Im Rahmen der neuen Entwicklung gelten metallische Nanopartikel, die so klein sind, dass Sie nicht zeigen Sie die Eigenschaften des Metalls unter dem Einfluss eines elektrischen Stroms, sondern manifestieren sich als Energie-Lücke (energy gap), die durch den кулоновское Abstoßung der Elektronen voneinander.
Unter der Einwirkung der Steuerspannung erfolgt die energetische Verschiebung dieses Abstandes, und der Strom somit kann ein-und ausgeschaltet wird. Im Gegensatz zu früheren versuchen, eine solche technische Lösung, die Nanopartikel sind nicht die individuelle Struktur der Beschichtung, das auftragen ist sehr schwierig Produktionsverfahren und die Eigenschaften solcher Komponenten unzuverlässig. Stattdessen Nanopartikel aufgetragen als dünner Film in der Höhe nur in einer einzigen Schicht von Nanopartikeln. Die Anwendung dieser Methode können die elektrischen Eigenschaften der Geräte angepasst werden und fast identisch.
Diese Coulomb-transistoren besitzen drei wichtigsten Vorteile, die Sie interessant für die spätere kommerzielle Anwendung. Vor allem die Synthese von metallischen Nanopartikeln im Rahmen der Kolloidchemie ist sehr gut überschaubar und skalierbar Prozess. Das Ergebnis sind sehr kleine нанокристиллы, die gespeichert werden können in Lösungen und kann leicht verwendet werden.
Technologie Ленгмюра — Blodgett ermöglicht das erstellen qualitativ hochwertige einlagige Folie und kann auch im industriellen Maßstab angewendet. So, neue Entwicklung ermöglicht die Verwendung von Standard-литографические Methoden für die Konstruktion von Komponenten und deren Integration in elektrische schaltungen, das machen die Geräte kostengünstig, flexibel und zugänglich für die Fertigung innerhalb der Branche.
Transistoren, die infolge der Produktion im betrachteten Methode, mehr als 90% der Fälle zeigen die Fähigkeit zum wechseln und funktionieren bei Temperaturen bis Raumtemperatur. Billige transistoren und Computerchips, die hergestellt werden nach diesem Verfahren zeichnen sich durch reduzierten Stromverbrauch. In der Zukunft wahrscheinlich die Anwendung dieser Technologie in der Industrie. Die Ergebnisse der betrachteten Studie wurden wissenschaftliche Zeitschrift Science Advances.
Das Wissenschaftliche Interesse ist im Rahmen der Studie und die Tatsache, dass die metallischen Partikel zeigen ähnliche Eigenschaften Eigenschaften des Halbleiters. Der Grund dafür — Ihre kleine Größe. Natürlich ist noch einiges zu tun, eine bedeutende Forschungsarbeit, aber das, was getan wurde, zeigt: Alternative zu den üblichen транзисторам vorhanden ist, und es kann in der Zukunft Anwendung finden sich in unterschiedlichen Geräten.
Die Entwicklung der Gruppe von Wissenschaftlern kann nicht nur als transistoren. Interessant ist auch die Möglichkeit Ihrer Anwendung als Chemische sensoren, da die Abstände zwischen den Nanopartikeln, die als Tunnel-Barrieren, высокочувствительны zu den chemischen Beschichtungen.
Wie perspektivisch, nach Ihrer Meinung, ein neues Verfahren zur Herstellung von transistoren?
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