बनाया काम कर मॉडल की स्मृति के आधार पर magnetoelectric प्रभाव
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आज, यह मुश्किल है खोजने के लिए एक इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस होता है कि राम । यह उपयोग करने के लिए बंधे के लगभग सभी सुविधाओं के कामकाज सॉफ्टवेयर है । हालांकि वहाँ है एक "राम" और एक महत्वपूर्ण खामी है – बहुत ही उच्च शक्ति की खपत है । लेख के अनुसार में प्रकाशित, एप्लाइड फिजिक्स पत्र, विशेषज्ञों के समूह से MIPT में सहकर्मियों के साथ सहयोग से गुस्सा करने के लिए उन्हें. V. A. Kotelnikov के रास और अंतरराष्ट्रीय प्रयोगशाला LIA LICS प्रबंधित करने के लिए एक स्मृति विकसित की एक पूरी तरह से नए प्रकार है । दृष्टिकोण के वैज्ञानिकों को न केवल कम ऊर्जा की खपत, लेकिन यह भी काफी प्रदर्शन में सुधार के उपकरणों के लिए ।
सेल "क्लासिक" स्मृति (राम) के होते हैं एक ट्रांजिस्टर को विनियमित करने के लिए उपयोग कंडेनसर. संधारित्र चार्ज किया जा सकता है, और फिर उसके मान 1 है, या छुट्टी दे दी है और अपने मूल्य, क्रमशः, 0 हो जाएगा. विकसित चुंबक इलेक्ट्रिक स्मृति (MELRAM) के दो तत्व होते हैं: एक piezoelectric सब्सट्रेट और एक विशेष बहुस्तरीय संरचना है । Piezoelectric तत्व ख़राब कर सकते हैं, यदि वे लागू होते हैं तनाव या इसे बनाने के लिए यदि वे ख़राब करना है । स्तरित संरचना एक मजबूत magnetodipole (चुंबकीय गुणों में परिवर्तन के साथ विकृति). से anisotropy के स्तरित संरचना, magnetization हो सकता है दो दिशाओं में डाल दिया और इसी तर्क 1 या 0. के MELRAM स्मृति (विपरीत राम जो अब इस्तेमाल किया जाता है) बनाए रखने में सक्षम है अपने राज्य भी जब नेटवर्क से डिस्कनेक्ट कर दिया. के रूप में द्वारा कहा गया सेर्गेई Nikitov, अनुसंधान के सिर, सिर की विशेषज्ञता विभाग के ठोस राज्य इलेक्ट्रॉनिक्स, Radiophysics और एप्लाइड सूचना प्रौद्योगिकी MIPT, और उनके सहयोगी एंटोन chumps, स्नातक छात्र ffke MFTI,
"उद्योग राम आज बहुत अत्यधिक विकसित की है, गति मॉड्यूल तेजी से हो जाते हैं, हालांकि, वहाँ एक दोष यह है कि कारण के लिए डिजाइन के आधुनिक स्मृति में सक्षम नहीं होगा पर काबू पाने के लिए है कम ऊर्जा दक्षता. हमारे काम में, हम का प्रदर्शन चुंबक इलेक्ट्रिक स्मृति सेल । यह कम हो जाएगा ऊर्जा की लागत को पढ़ने और लिखने दसियों बार के हजारों की है । हम बनाया है एक नमूना आकार के बारे में एक मिलीमीटर और प्रदर्शन किया है अपने संचालन । यह नोट करना महत्वपूर्ण है कि के आधार पर इस्तेमाल किया संरचनाओं बनाया जा सकता है और nanometric कोशिकाओं में इसी तरह के आकार के लिए इस्तेमाल किया उन लोगों में पारंपरिक राम".
जब स्मृति सेल MELRAM एक वोल्टेज लागू किया जाता है, piezoelectric सब्सट्रेट विकृत है, और पर निर्भर करता है, प्रकृति के तनाव, magnetization में परिवर्तन की दिशा और रिकॉर्डिंग शुरू होता है के बारे में जानकारी । हालांकि, अगर चुंबकीय क्षेत्र की दिशा में परिवर्तन है, तो वहाँ कुछ अतिरिक्त तनाव नमूने में पंजीकृत किया जा सकता है, इस प्रकार पहचानने की हालत में है । क्योंकि पढ़ने को बदल सकते हैं, magnetization दिशा, बाद में आप चाहते हैं अधिलेखित करने के लिए मूल्य में पढ़ा सेल फिर से.
सामग्री के आधार पर की प्रेस सेवा के MIPT
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