Росэлектроника vai produzir 5G-transistor
Source:Até agora, a Rússia se preparando para entrar em um padrão de comunicação móvel 5G, institutos de pesquisa e tecnologia em são josé, a entrada em exploração «Росэлектроника», começa a liberar 5G-transistor.
No local relatam que a potência de instrumentos é de 5 a 50 W, o fator de amplificação de potência de 9 a 13 db, a EFICIÊNCIA do dreno — não menos de 45% no teste de freqüência de 4 Ghz e 2,9 Ghz. Transistor, produzido воронежским NEXTEL, totalmente intercambiáveis com as mercadorias importadas equivalentes, portanto, ideais para qualquer tipo de instrumento, sem a necessidade de mais requinte. Nacionais de transistores já testados para estações de rádio existente de localização instrumento de aeroportos e droṇaḥ, onde mostraram um excelente desempenho. Agora a produção воронежского a NEXTEL está testando a vinte empresas diferentes.
Através do uso de transistores baseados em nitreto de gálio, os desenvolvedores conseguiram reduzir o tamanho de fontes de alimentação, adaptadores e carregadores. Devido a redução do tamanho diminuído e o peso, portanto, novos produtos podem ser aplicados em uma variedade de dispositivos, transportes e engenharia elétrica.
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