Criar a área de amostra de ram com base em магнитоэлектрического efeito
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Hoje é difícil encontrar um dispositivo eletrônico que não teria de memória ram. Para usá-lo preso praticamente todas as características de funcionamento do software. Embora há uma "memória ram" e menos importante – extremamente alto consumo de energia. De acordo com o artigo, publicado na edição Applied Physics Letters, um grupo de profissionais de МФТИ, juntamente com os colegas de ИРЭ-lhes. В. А., Respectivamente FERIDAS e Internacional de laboratório LIA LICS capazes de desenvolver uma memória absolutamente novo tipo. A abordagem cientistas não só irá ajudar a reduzir o consumo de energia, mas e agilizar a dispositivos.
A Célula é um "clássico" memória de acesso aleatório (RAM) é composto por um transistor, que regula o acesso ao capacitor. O capacitor pode ser carregada, e então o seu valor é igual a 1, ou descarregada e o seu valor, respectivamente, será 0. Desenvolvido pela mesma ressonância elétrica memória (MELRAM) é composto de dois elementos: пьезоэлектрической substrato especial e estrutura em camadas. Piezoelétrico os elementos podem se deformar, se lhes aplicar a tensão, ou criar o seu, se o seu deformado. A estrutura laminada tem uma forte магнитоупругостью (propriedades magnéticas nela mudam com o tempo, a deformação). Devido a anisotropia, a estrutura em camadas намагниченность pode ter dois sentidos, e que colocam em conformidade lógicos 1 ou 0. Quando a memória MELRAM (ao contrário do utilizado agora RAM) é capaz de manter seu estado mesmo quando estiver desconectado da rede. Como disse Sergey Никитов, líder da pesquisa, o gerente de especialização departamento de eletrônica de estado sólido, радиофизики e tecnologia da informação aplicada МФТИ, e o seu colega Anton Чурбанов, pós-graduado ФФКЭ МФТИ,
"a Indústria da RAM de hoje é muito desenvolvida, velocidade de módulos tornam-se cada vez mais rápido, no entanto, há uma desvantagem considerável, o que dizer do projeto moderno de memória não poderá superar a baixa eficiência energética. Iremos demonstrar, magneto-elétrico de uma célula de memória. Ela permite reduzir os custos de energia para ler e gravar dezenas de milhares de vezes. Criamos um tamanho de cerca de um milímetro e demonstraram o seu trabalho. É importante notar que, com base em estruturas podem ser utilizados para criar e нанометровые célula, semelhantes em tamanho com os que são utilizados na rotina de RAM".
Quando a célula de memória MELRAM é aplicada a tensão, piezoelectric substrato deforma, e, dependendo da natureza da deformação, намагниченность muda de direção e acontece a gravação de informação. No entanto, se o sentido do campo magnético é alterado, então ocorre um pouco mais de tensão na amostra, que você pode registrar-se, assim, ao saber do estado. Assim como durante a leitura pode mudar a direção de magnetização, posteriormente, a necessidade de substituir mas, tecnicamente, o valor na célula novamente.
é Baseado no material de imprensa-serviço de МФТИ
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